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表2：实测记录
序号 | 参 数 名 称 | 符号 | 单位 | 测试数据 | 备 注 | 1 | 正向半波平均电流 | IFAV | A | 5000 | TC=100℃ | 2 | 反向重复峰值电压 | VRRM | V | >200 | TVj | 3 | 反向重复峰值电流 | IRRM | mA | <50 | TVj | 4 | 正向通态峰值电压 | VFM | V | <1.15 | IFM：6000 A | 5 | 门 槛 电 压 | VFO | V | 0.79 | 4000 A～12000 A | 6 | 斜 率 电 阻 | rT | mΩ | 0.028 | 4000 A～12000 A | 7 | 正 向 浪 涌 电流 | IFSM | KA | 45 | TVj | 8 | 等 效 结 温 | TVj | ℃ | 170 | | 9 | 结 壳 热 阻 | RTHJC | ℃/W | 0.01 | | 10 | 正 向 恢 复 时 间 | tfr | μs | <1 | | 11 | 开通时****峰值电压 | VFRM | V | <20 | | 12 | 反 向 恢 复 时 间 | trr | μs | <5 | | 13 | 软 因 子 | FRRS | | >1.5 | |
按上述设计和制作的器件不仅大量销售到国内各电阻焊机企业，而且出口欧美、亚洲等许多国家和地区。
5 结语
1） 高、中频电阻焊机，是汽车、轮船、飞机、高铁、机器人等大工业发展的关键设备，必须大力发展。高、中频快恢复FRD二极管是高，中频电阻焊机的核心器件，是新型功率半导体器件，必须大力发展。
2）发展高、中频快恢复FRD二极管必须采取崭新的现代功率半导体技术。低阳极浓度技术，双基区结构都是必须采用的基本技术。
3）降低基区少子寿命也是FRD的关键技术，在没有轻离子辐照＋铂汲取局域寿命控制技术的情况下，采用扩铂加磷硅玻璃吸收的工艺是一种可行的方法。
4）必须采用二极管雪崩结构，无应力技术贯彻整个加工过程，确保高频焊接二极管的高雪崩能力和快、软恢复能力，确保器件长期使用的可靠性，确保器件直接均流应用。
5）所有电、热参数测试，都必须采用和国际接轨的先进测试仪器，才能确保所有出厂产品的先进性。
6）今后，紧紧瞄准国际超大电流FRD的新技术发展动向，时刻准备条件开展轻离子辐照+铂原子汲取的技术，开展离子注入+超薄发射区等新技术，开展（100）硅单晶片的应用技术等。
参考文献：
【1】石建东，夏吉夫，潘福泉：电阻焊机用超大电流FRD二极管的现状和发展[J]。 《变频技术应用》2011，32(2)
【2】王兆安，张明勋：电力电子设备设计和应用手册第3版（第16章16.4节,作者:王福生）[Z]。 北京：机械工业出版社 2009.1
【3】夏吉夫，郭永亮，潘福泉： 3.5KA/400V高电流密度整流二极管的设计制造[J]。电力电子技术 2008，193(12)。
【4】夏禹清，关艳霞，潘福泉等： 高频电镀用快恢复整流二极管的开发研制[J]。 变频技术应用2010，25（1）
【5】游佩武，关艳霞，潘福泉等：二极管雪崩电压线性正温度特性研究[J]。变频技术应用，2010， 29
【6】林德著（瑞士），肖曦，李虹译。 功率半导体器件---器件与应用[M]。北京：机械工业出版社，2009.2（第三章3.3）
【7】张斌，张海涛，王均平：超大电流密度低压二极管研究[J]。半导体技术，2002，27（10）。
【8】张海涛，张斌：软恢复二极管新进展—扩散型双基区二极管[D]。 深圳：第八届全国电力电子学会，2002.11
【9】董宏伟：扩铂工艺及扩铂器件恢复特性软硬度研究[D]。哈尔滨：第六届全国电力电子学会，1976.6
作者：
夏禹清：女，1985年生，沈阳工业大学硕士，锦州市圣合科技电子有限公司董事长，研究方向：电力半导体器件。13941685986
夏吉夫：男，1955年生，高级工程师，锦州市圣合科技电子有限公司总经理，研究方向：电力半导体器件。13904168481 |
