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对其中的关键的工艺说明如下：
1） 超薄硅片及无应力加工技术
FRD5000A-200V课题是低压下的大电流快恢复二极管，在达到反向电压时，实现大电流下的低功耗。为此必须采用超薄硅片，特别是超薄基区的硅芯片。
以往二极管的最小硅片厚度0.24，但制做超大电流FRD焊接二极管时，0.24太厚了，将造成正向电压降过高、功耗过大。我们实验的硅片厚度当选用在0.19及以下时，才能达到超大电流电阻焊机要求的功耗水平。
这种超薄硅片彻底颠覆了原有二极管的生产工艺，整个从头到尾的操作过程都必须是无应力的。从工装夹具的软接触到工艺过程的软操作，须对员工有明确的精细操作规定。检查标准明确规定不准有碎片的出现，为此软工装系数必须做到100%；尽量采用截面电阻率均匀的硅单晶，使空间电荷区均匀，结电容小，关断时不至于产生过大的反向电流，即过大的能量损耗。
2）雪崩技术【5】
电阻焊机启动频繁，环境比较恶劣，随时有过压过流现象发生，故对FRD焊接二极管有相当的雪崩能力要求。
要实现二极管的高雪崩能力必须采用非穿通结构，且尽量采用低电阻率单晶，以获取尽量高的电场强度。
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